特許
J-GLOBAL ID：200903036060053111

無機膜およびその製造方法並びに半導体デバイス

発明者：
南宮 麻紀

南宮 麻紀 について

, 
梅田 賢一

梅田 賢一 について

, 
田中 淳

田中 淳 について

, 
東 耕平

東 耕平 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (3件)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛 ,  渋谷 淑子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-096030
公開番号（公開出願番号）：特開2009-252821
出願日： 2008年04月02日
公開日（公表日）： 2009年10月29日
要約：
【課題】トランジスタ駆動に適した比抵抗をもつ良質な無機膜を提供する。【解決手段】一般式NaMbQcOd(式中NはZnまたはMg、MはTi、WまたはMo、QはInまたはFeであり、a,b,c,dは正の実数である)で表される無機膜を、Nの酸化物、アルコキシドまたは有機金属化合物の少なくとも1つと、Mの酸化物、アルコキシドまたは有機金属化合物の少なくとも1つと、Qの酸化物、アルコキシドまたは有機金属化合物の少なくとも1つと、有機溶媒と、を含む原料液を基板上に塗布成膜し、加熱処理により製造する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
一般式NaMbQcOd(式中NはZnまたはMg、MはTi、WまたはMo、QはInまたはFeであり、a,b,c,dは正の実数である)で表されることを特徴とする無機膜。
IPC (8件)：
H01L 29/24 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  C01G 23/00 ,  C01G 41/00 ,  C01G 39/00 ,  H01L 29/26
FI (8件)：
H01L29/24 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627G ,  H01L21/20 ,  C01G23/00 C ,  C01G41/00 A ,  C01G39/00 Z ,  H01L29/26
Fターム (79件)：
4G047CA05 ,  4G047CB06 ,  4G047CC03 ,  4G047CD02 ,  4G048AA03 ,  4G048AB02 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  4G048AE05 ,  4G048AE08 ,  5F110AA06 ,  5F110AA09 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF29 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110PP03 ,  5F110PP31 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC04 ,  5F152CC06 ,  5F152CC09 ,  5F152CD08 ,  5F152CD09 ,  5F152CD10 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD16 ,  5F152CD17 ,  5F152CD24 ,  5F152CE01 ,  5F152CE08 ,  5F152CE18 ,  5F152CE24 ,  5F152DD06 ,  5F152FF03 ,  5F152FF06 ,  5F152FF09 ,  5F152FF43 ,  5F152FF45 ,  5F152FG01 ,  5F152FG04 ,  5F152FG18
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM