特許
J-GLOBAL ID：200903036071954765

ツイン・プラズマ・トーチ装置

発明者：
ジョンソン ティモシー ポール

ジョンソン ティモシー ポール について

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ディーガン デイビッド エドワード

ディーガン デイビッド エドワード について

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チャップマン クリストファー デイビッド

チャップマン クリストファー デイビッド について

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ウィリアムス ジョン ケネス

ウィリアムス ジョン ケネス について


出願人/特許権者：
テトロニクス リミテッド

テトロニクス リミテッド について


代理人 (1件)： 特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-575787
公開番号（公開出願番号）：特表2003-530679
出願日： 2001年04月04日
公開日（公表日）： 2003年10月14日
要約：
【要約】ハウジングに支持された2つのプラズマ・トーチ・アセンブリ(10,20)を含むツイン・プラズマ・トーチ・アセンブリである。各トーチは、第1、第2の間隔を置いて配置された電極を有する。プラズマ・ガスが2つの電極間の処理ゾーンに導入される。シュラウド・ガスがプラズマを取り囲むように導入される。供給チューブ112は、対象物質を処理装置に供給するために配置されている。
請求項（抜粋）：
(a) ハウジングに互いに対立して支持された、少なくとも2つのツイン・プラズマ・トーチ・アセンブリであって、互いに間隔を置いて配置され、それぞれが、 (i)第1の電極と、 (ii)前記第1の電極との間に、処理ゾーンとしてプラズマ・アークを形成するに十分な間隔を置いて、配置、又は配置されるよう調整された第2の電極と、 を有するツイン・プラズマ・トーチ・アセンブリと、(b)前記第1、第2の電極の間の処理ゾーンにプラズマ・ガスを導入する手段と、(c)プラズマ・ガスを取り巻くシュラウド・ガスを導入する手段と、(d)処理ゾーン(processing zone)に対象物質を供給する手段と、(e)処理ゾーンにプラズマ・アークを形成する手段と、 を含むツイン・プラズマ・トーチ・アセンブリ。
IPC (8件)：
H05H 1/42 ,  B01J 19/08 ,  B22F 1/00 ,  B22F 9/02 ,  B22F 9/08 ,  C23C 8/36 ,  H05H 1/34 ,  H05H 1/44
FI (8件)：
H05H 1/42 ,  B01J 19/08 K ,  B22F 1/00 A ,  B22F 9/02 Z ,  B22F 9/08 Z ,  C23C 8/36 ,  H05H 1/34 ,  H05H 1/44
Fターム (47件)：
4G075AA24 ,  4G075AA27 ,  4G075AA30 ,  4G075BA06 ,  4G075BB02 ,  4G075BB08 ,  4G075CA03 ,  4G075CA15 ,  4G075CA51 ,  4G075CA62 ,  4G075CA63 ,  4G075DA02 ,  4G075DA18 ,  4G075EA05 ,  4G075EA06 ,  4G075EB01 ,  4G075EB43 ,  4G075EC06 ,  4G075EC21 ,  4G075EC30 ,  4G075EE02 ,  4G075EE07 ,  4K017AA02 ,  4K017AA06 ,  4K017BA01 ,  4K017BB17 ,  4K017CA08 ,  4K017DA09 ,  4K017EF02 ,  4K017EF09 ,  4K017EG00 ,  4K017FA03 ,  4K017FA27 ,  4K018AA14 ,  4K018BA08 ,  4K018BB05 ,  4K018BC06 ,  4K018BC09 ,  4K018BC18 ,  4K018BC21 ,  4K018BC40 ,  4K018BD09 ,  4K018BD10 ,  4K018KA70 ,  4K028BA05 ,  4K028BA15 ,  4K028BA21
引用特許：
審査官引用 (16件)
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