磁気抵抗素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大庭咲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-368806
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102659
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】複数の磁気トンネル抵抗素子を直列接続した磁気抵抗素子において、高い磁気抵抗変化率を実現する。【解決手段】基板5上に、複数の下部電極3及び反強磁性膜8を一列に配置して設ける。各反強磁性膜8上に、下磁性層9,9、バリア膜10,10、上磁性層11,11及びダミー膜16,16からなる一対の磁気トンネル接合構造を、層間絶縁膜12でそれぞれ絶縁分離して形成する。各磁気トンネル接合構造は、その平面形状を長方形状とし、同長方形状の長辺を平行に対向させる。異なる下部電極3及び反強磁性膜8上の各ダミー膜16(上磁性層11)を上部電極4によりそれぞれ接続する。

請求項（抜粋）：

バリア膜を下磁性層と上磁性層との間に挟んで構成した一対の磁気トンネル接合構造を基板上にて直列に接続してなる磁気抵抗素子において、前記各磁気トンネル接合構造の平面形状を長辺及び短辺からなる長方形状にそれぞれ形成するとともに、同各磁気トンネル接合構造の各長辺を平行かつ対向して配置したことを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01F 10/08 , H01F 10/30

FI (5件)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/08 , H01F 10/30 , G01R 33/06 R

Fターム (18件)：

2G017AD55 , 2G017AD56 , 2G017AD63 , 2G017AD65 , 5D034BA03 , 5D034BA08 , 5D034BA15 , 5D034BB02 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049BA16 , 5E049CB02 , 5E049DB04 , 5E049DB14

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-123306
磁気センサー及びこの磁気センサーを使用した装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-268732 出願人：富士通株式会社
半導体薄膜磁気抵抗素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-308695 出願人：松下電器産業株式会社

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