半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-149263
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340791
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】しきい値電圧調整のために素子形成領域に注入した不純物が、素子分離領域を構成するシリコン酸化膜によって拡散され、不純物の偏析が生じ、これが要因となってしきい値電圧が変動する狭チャネル幅効果が生じる。この狭チャネル幅効果を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板101にシリコン酸化膜で素子分離領域(STI)108を形成し、このSTI108で区画される素子形成領域にしきい値電圧調整のための不純物を導入し、かつ前記素子形成領域内にチャネル領域を有するMOSトランジスタを形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記MOSトランジスタのチャネル領域の素子分離領域との境界領域に、しきい値電圧調整のための不純物と同一導電型の不純物(ボロン)を注入してボロン注入層105を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板にシリコン酸化膜で素子分離領域を形成する工程と、前記素子分離領域で区画される素子形成領域にしきい値電圧調整のための不純物を導入し、かつ前記素子形成領域内にチャネル領域を有するMOSトランジスタを形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記MOSトランジスタの前記チャネル領域の前記素子分離領域との境界領域に前記しきい値電圧調整のための不純物導入工程とは別に前記不純物と同一導電型の不純物を導入する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/76 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (4件)：

H01L 29/78 301 H , H01L 21/76 L , H01L 27/08 321 C , H01L 29/78 301 R

Fターム (45件)：

5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032AA77 , 5F032AA84 , 5F032CA03 , 5F032CA17 , 5F032DA02 , 5F032DA22 , 5F032DA43 , 5F032DA53 , 5F032DA77 , 5F032DA78 , 5F040DA06 , 5F040DB03 , 5F040DC01 , 5F040EC07 , 5F040EE05 , 5F040EF02 , 5F040EF11 , 5F040EJ08 , 5F040EK05 , 5F040EM01 , 5F040FA03 , 5F040FA05 , 5F040FA19 , 5F040FB02 , 5F040FB04 , 5F040FC00 , 5F040FC10 , 5F040FC13 , 5F040FC16 , 5F048AA00 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BC05 , 5F048BC06 , 5F048BD04 , 5F048BE03 , 5F048BF16 , 5F048BG14 , 5F048BG15 , 5F048DA17 , 5F048DA25

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-215652 出願人：富士通株式会社
特開平1-107555
半導体製造方法、半導体記憶装置の製造方法、および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-235945 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る