特許
J-GLOBAL ID：200903036214296144

半導体デバイスおよびその製造方法

発明者：
北條 義之

北條 義之 について

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中村 恒夫

中村 恒夫 について

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南方 量二

南方 量二 について

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松井 美和

松井 美和 について

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竹内 博明

竹内 博明 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  山崎 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-380023
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128438
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】従来の太陽電池に用いられているパッシベーション技術における、熱酸化膜では高温度が必要で、基板への熱的影響が大きく、水素プラズマや水素アニールでは設備費用が高価になる課題を解決する。【解決手段】半導体の内部で生成または誘起されたキャリアに基づいて動作する半導体デバイスであって、Si-H結合を有する液体または固体を有機溶剤などに溶解した膜形成液体を半導体の表面に塗布し、乾燥し、400°C以上、800°C以下で焼成することによって絶縁膜をその表面に形成する半導体デバイスの製造法およびこの方法により得られる半導体デバイス。pn構造シリコン太陽電池の受光面側に、屈折率が1.4以上でかつシリコン基板の屈折率以下の膜を形成した上に、上記膜形成液による水素化酸化シリコン膜を設置する。【選択図】 図10
請求項（抜粋）：
半導体の内部で生成または誘起されたキャリアに基づいて動作する半導体デバイスであって、Si-H結合を有する液体または固体を有機溶剤などに溶解した膜形成液体(Si-H塗料)を半導体の表面に塗布し、乾燥し、400°C以上、800°C以下で焼成することによって形成された絶縁膜をその表面に有することを特徴とする半導体デバイス。
IPC (5件)：
H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L31/04
FI (4件)：
H01L21/316 G ,  H01L31/04 F ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 617V
Fターム (55件)：
5F051AA02 ,  5F051CB13 ,  5F051CB20 ,  5F051CB24 ,  5F051CB29 ,  5F051DA03 ,  5F051DA20 ,  5F051HA03 ,  5F051HA20 ,  5F058BA07 ,  5F058BC02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ03 ,  5F110AA16 ,  5F110AA17 ,  5F110AA26 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF35 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ13 ,  5F110NN02 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BD06 ,  5F140BE02 ,  5F140BE09 ,  5F140BE17 ,  5F140BK13 ,  5F140CD04 ,  5F140CF00
引用特許：
審査官引用 (8件)
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