特許

J-GLOBAL ID：200903036222346037

半導体装置、半導体装置の作製方法、液晶表示装置、RFIDタグ、発光装置及び電子機器

発明者： 掛端 哲弥
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
代理人 (2件)： 柳瀬 睦肇 ,  渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-257064
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123849
出願日： 2006年09月22日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：

【課題】ゲート絶縁膜を薄膜化して半導体デバイスの特性を向上させ、且つリーク電流を低減できる半導体装置及びその作製方法を提供する。【解決手段】多結晶半導体膜103a上に金属膜であるアルミニウム膜121aを形成し、前記アルミニウム膜にプラズマ酸化処理を施すことにより、前記アルミニウム膜を酸化して酸化アルミニウム膜104を形成するとともに、前記多結晶半導体膜103aと前記酸化アルミニウム膜との間に酸化珪素膜100aを形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

多結晶半導体膜上に金属膜を形成し、 前記金属膜にプラズマ酸化処理を施すことにより、前記金属膜を酸化して金属酸化膜を形成するとともに、前記多結晶半導体膜と前記金属酸化膜との間に前記多結晶半導体を酸化した酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (8件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/283 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50

FI (9件)：

H01L29/78 617V ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 617T ,  H01L21/20 ,  H01L29/58 G ,  H01L21/283 B ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A

Fターム (191件)：

2H092GA48 ,  2H092GA50 ,  2H092HA04 ,  2H092HA05 ,  2H092HA06 ,  2H092HA14 ,  2H092JA25 ,  2H092JA35 ,  2H092JA36 ,  2H092JA46 ,  2H092KA04 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092MA08 ,  2H092MA23 ,  2H092MA30 ,  2H092MA32 ,  2H092PA01 ,  2H092PA02 ,  2H092PA03 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107EE04 ,  4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB28 ,  4M104BB32 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104FF06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG20 ,  5F110AA12 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE24 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110EE31 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF05 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF22 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG26 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HK05 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HM04 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN32 ,  5F110NN33 ,  5F110NN36 ,  5F110NN37 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ16 ,  5F152AA06 ,  5F152BB01 ,  5F152BB02 ,  5F152BB06 ,  5F152BB10 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC04 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC09 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD17 ,  5F152CD27 ,  5F152CE05 ,  5F152CE13 ,  5F152CE14 ,  5F152CE16 ,  5F152CE24 ,  5F152CE45 ,  5F152CF18 ,  5F152EE05 ,  5F152FF02 ,  5F152FF03 ,  5F152FF04 ,  5F152FF05 ,  5F152FF06 ,  5F152FF07 ,  5F152FF08 ,  5F152FF11 ,  5F152FF22 ,  5F152FF29 ,  5F152FF47 ,  5F152FG04 ,  5F152FG18 ,  5F152FG23 ,  5F152FH01 ,  5F152LP01 ,  5F152LP08 ,  5F152MM02 ,  5F152MM04 ,  5F152MM08 ,  5F152MM20 ,  5F152NN13 ,  5F152NN14 ,  5F152NN16 ,  5F152NN19 ,  5F152NN20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-317243   出願人：大見忠弘

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-011703   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-187596   出願人：日本電気株式会社
• 酸化膜の形成方法および薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-285547   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-334616   出願人：松下電器産業株式会社