特許

J-GLOBAL ID：200903036291842720

量子ドット半導体デバイス

発明者： 江部 広治 ,  河口 研一 ,  森戸 健 ,  荒川 泰彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  国立大学法人 東京大学
代理人 (1件)： 真田 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-084129
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244235
出願日： 2007年03月28日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】量子ドット半導体デバイスにおいて、温度が変化しても動作波長における利得が変化しないようにする。【解決手段】量子ドット半導体デバイスを、複数の量子ドット1を積層させてなる複合量子ドット2と、複合量子ドット2の側面に接するように形成されたサイドバリア層3とを備える複数の量子ドット層4A,4Bを有する活性層11を備えるものとし、活性層11の利得スペクトルが所望の動作温度範囲における利得スペクトルのシフト量に対応した平坦利得帯域を持つように、各量子ドット層4A,4Bを構成する量子ドット1の積層数及びサイドバリア層3の歪みの大きさを設定する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の量子ドットを積層させてなる複合量子ドットと、前記複合量子ドットの側面に接するように形成されたサイドバリア層とを備える複数の量子ドット層を有する活性層を備え、 前記活性層の利得スペクトルが所望の動作温度範囲における利得スペクトルのシフト量に対応した平坦利得帯域を持つように、前記各量子ドット層を構成する前記量子ドットの積層数及び前記サイドバリア層の歪みの大きさが設定されていることを特徴とする量子ドット半導体デバイス。

IPC (1件)：

H01S 5/343

FI (1件)：

H01S5/343

Fターム (13件)：

5F173AA26 ,  5F173AA47 ,  5F173AA48 ,  5F173AF04 ,  5F173AF09 ,  5F173AF12 ,  5F173AG12 ,  5F173AH14 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP62 ,  5F173AR75 ,  5F173AS01

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 米国特許6859477号明細書
  
• 半導体量子ドット・デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-209208   出願人：日本電気株式会社
• 光半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-311046   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-060186   出願人：富士通株式会社, 国立大学法人東京大学
• 量子光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-273178   出願人：富士通株式会社
• 光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-007208   出願人：日本電気株式会社
• 分布帰還型半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-039442   出願人：株式会社日立製作所