特許
J-GLOBAL ID：200903043506987292

半導体装置

発明者：
植竹 理人

植竹 理人 について

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江部 広治

江部 広治 について

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河口 研一

河口 研一 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について

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国立大学法人 東京大学

国立大学法人 東京大学 について


代理人 (1件)： 真田 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-060186
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245373
出願日： 2005年03月04日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】 量子ドットを備える半導体装置において、量子ドットを含む量子ドット層の結晶性を向上させる。【解決手段】 第1の格子定数を有する半導体結晶からなるバリア層3と、バリア層上に形成され、第2の格子定数を有する半導体結晶からなる複数の量子ドット4と、複数の量子ドットのそれぞれの側面に接するように形成され、第3の格子定数を有する半導体結晶からなるサイドバリア層5とを有する量子ドット層8とを備えるものとし、バリア層、量子ドット及びサイドバリア層が、第1の格子定数の値と第2の格子定数の値との差と、第1の格子定数の値と第3の格子定数の値との差とが反対の符号になるように構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の格子定数を有する半導体結晶からなるバリア層と、 前記バリア層上に形成され、第2の格子定数を有する半導体結晶からなる複数の量子ドットと、前記複数の量子ドットのそれぞれの側面に接するように形成され、第3の格子定数を有する半導体結晶からなるサイドバリア層とを有する量子ドット層とを備え、 前記バリア層、前記量子ドット及び前記サイドバリア層が、前記第1の格子定数の値と前記第2の格子定数の値との差と、前記第1の格子定数の値と前記第3の格子定数の値との差とが反対の符号になるように構成されることを特徴とする、半導体装置。
IPC (1件)：
H01S 5/343
FI (1件)：
H01S5/343
Fターム (9件)：
5F173AA22 ,  5F173AF09 ,  5F173AF12 ,  5F173AF28 ,  5F173AF32 ,  5F173AG12 ,  5F173AH12 ,  5F173AP05 ,  5F173AR81
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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