特許
J-GLOBAL ID：200903033380154936
光半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-311046
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124574
出願日： 2001年10月09日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：
【要約】【課題】 利得帯域の広い光半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 複数の量子ドット22を有する光半導体装置であって、複数の量子ドットの大きさが不均一である。
請求項（抜粋）：
複数の量子ドットを有する光半導体装置であって、前記複数の量子ドットの大きさが不均一であることを特徴とする光半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 5/343
, H01L 21/203 M
5F073AA07
, 5F073AA46
, 5F073AA75
, 5F073BA01
, 5F073CA02
, 5F073CB02
, 5F073DA06
, 5F073EA29
, 5F103AA04
, 5F103DD01
, 5F103DD03
, 5F103DD05
, 5F103GG01
, 5F103HH03
, 5F103LL03
, 5F103LL17
, 5F103PP06
