パターン描画方法及び描画装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-074410
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274038
出願日： 1998年03月23日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】レジストヒーティングの影響を低減することができ、寸法ばらつきの低減をはかる。【解決手段】電子ビームの微細ショットによる露光を順次行ってチップ上に所望のパターンを描画し、且つ同一パターンをチップ上に2回重ねて描画するパターン描画方法であって、チップ51の描画領域を短冊状に分割したフレーム52を更に小領域に分割したサブフィールド53の単位で描画し、1回目の描画で撃ったショットの順番に対し2回目の描画を逆の順番で行う。

請求項（抜粋）：

エネルギービームの微細ショットによる露光を所定の順番で行って試料上に所望のパターンを描画し、且つ同一パターンを試料上に複数回重ねて描画するパターン描画方法であって、前記試料に対する描画のショットの順番を毎回異ならせることを特徴とするパターン描画方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521 , G03F 7/22

FI (3件)：

H01L 21/30 541 J , G03F 7/20 521 , G03F 7/22 H

引用特許：

審査官引用 (15件)

荷電粒子ビーム描画方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-052514 出願人：日本電子株式会社
特開昭62-169413
特開平3-188617

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