半導体デバイスの製造方法及びその製造システム

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小川勝男 , 田中恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-319833
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158478
出願日： 2002年11月01日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】光学的スキャトロメトリ装置による3次元計測技術を利用して高速で超微細化実回路パターンの製造プロセス評価を可能にして半導体デバイスを製造できるようにした半導体デバイスの製造方法及びその製造システムを提供することにある。【解決手段】本発明は、所定の半導体製造プロセスによりテストパターンおよび実回路パターンを形成して製品半導体デバイスを製造する半導体デバイスの製造方法であって、前記製品半導体デバイスに形成されたテストパターンの3次元形状の特徴を光学的スキャタロメトリ装置を用いて計測して前記製品半導体デバイスの実回路パターンに対する半導体製造プロセスを評価することを特徴とする。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

所定の半導体製造プロセスによりテストパターンおよび実回路パターンを形成して製品半導体デバイスを製造する半導体デバイスの製造方法であって、前記製品半導体デバイスに形成されたテストパターンの3次元形状の特徴を光学的スキャタロメトリ装置を用いて計測して前記製品半導体デバイスの実回路パターンに対する半導体製造プロセスを評価することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/027 , G03F7/20 , H01L21/3205 , H01L21/66

FI (5件)：

H01L21/30 502V , G03F7/20 521 , H01L21/66 J , H01L21/30 514E , H01L21/88 B

Fターム (11件)：

4M106AA01 , 4M106CA38 , 4M106CA51 , 4M106DH01 , 4M106DJ38 , 5F033QQ01 , 5F033QQ12 , 5F033XX03 , 5F046AA18 , 5F046DA02 , 5F046DA14

引用特許：

審査官引用 (5件)

結像特性の測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-183797 出願人：株式会社ニコン
スキャタロメトリを使用するライン・プロファイルの非対称測定
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-569662 出願人：アクセントオプティカルテクノロジーズ,インク.
露光方法およびその露光システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-391824 出願人：株式会社日立製作所

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