特許
J-GLOBAL ID：200903036707892927

半導体装置およびその製造方法

発明者：
江口 聡司

江口 聡司 について

, 
宮下 功

宮下 功 について

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金井 明

金井 明 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-361181
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165665
出願日： 2005年12月15日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：
【課題】ひずみSi技術を用いたpチャネル型電界効果トランジスタの浅い接合のソース・ドレインを形成する。【解決手段】pMIS1pのソース・ドレインを主として構成するp型拡散領域5cをp型不純物が導入されたp+-SiGe/p-SiGe:C/p--SiGeにより形成し、p+-SiGeに相対的に高濃度のp型不純物を導入し、p--SiGeに相対的に低濃度のp型不純物を導入する。p+-SiGeにはコンタクト抵抗を低減するために相対的に高濃度のp型不純物を導入する必要があるが、p-SiGe:Cによりその拡散が抑えられてp型拡散領域5cの深さを浅く維持する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面に形成されたpチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置であって、 前記pチャネル型電界効果トランジスタのソース・ドレインにSiGeを用いており、前記SiGeにp型不純物が導入され、前記SiGeの一部分に、前記半導体基板の深さ方向への前記p型不純物の拡散を防止するCを含むSiGeが形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092
FI (4件)：
H01L29/78 301S ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/08 321E ,  H01L27/08 321C
Fターム (100件)：
5F048AC03 ,  5F048AC04 ,  5F048BA12 ,  5F048BA16 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BC15 ,  5F048BD00 ,  5F048BE03 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF35 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG17 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL04 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN62 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA00 ,  5F140AA25 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BC06 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BG53 ,  5F140BH06 ,  5F140BH07 ,  5F140BH14 ,  5F140BH25 ,  5F140BH26 ,  5F140BH27 ,  5F140BH36 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK09 ,  5F140BK13 ,  5F140BK18 ,  5F140BK22 ,  5F140BK24 ,  5F140CA03 ,  5F140CB01 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC09 ,  5F140CC11 ,  5F140CD02 ,  5F140CE07
引用特許：
審査官引用 (7件)
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