特許
J-GLOBAL ID：200903036758473147
液浸露光方法、液浸型露光装置、および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-378299
公開番号（公開出願番号）：特開2006-186112
出願日： 2004年12月27日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：
【課題】露光装置の投影光学系と露光処理が施される被処理基板との間を液体で満たした状態で露光処理を行う液浸露光方法において、被処理基板の汚染防止対策が図られており、パターンの露光精度が劣化するおそれが抑制された液浸露光方法を提供する。【解決手段】露光処理が施される被処理基板2と露光処理を行う露光装置1の投影光学系4との間の少なくとも一部を液体5で満たしつつ露光処理を行うのに先立って、露光装置1が備える被処理基板2を支持する基板支持体3の被処理基板2を支持する側の表面3aのうち被処理基板2の外周部2bに隣接する領域3cと液体5との接触角に比べて、被処理基板2の露光処理が施される側の主面2aのうち少なくとも外周部2bと液体5との接触角を大きくする処理を施す。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
露光処理が施される被処理基板と前記露光処理を行う露光装置の投影光学系との間の少なくとも一部を液体で満たしつつ前記露光処理を行う液浸露光方法において、
前記露光処理を行うのに先立って、前記露光装置が備える前記被処理基板を支持する基板支持体の前記被処理基板を支持する側の表面のうち前記被処理基板の外縁部に隣接する領域と前記液体との接触角に比べて、前記被処理基板の前記露光処理が施される側の主面のうち少なくとも外縁部と前記液体との接触角を大きくする処理を施すことを特徴とする液浸露光方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/30 515D
, G03F7/20 521
, H01L21/30 518
5F046BA05
, 5F046CB12
, 5F046CC01
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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