特許
J-GLOBAL ID：200903036841642392
遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩野 平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-018511
公開番号（公開出願番号）：特開2000-214588
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】標準現像液適性が改良され、且つ形成されるレジストパターンの疎密依存性が良好であって、しかも短波長光源に対して感度が優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】(イ)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、ならびに(ロ)(a)特定の脂環式炭化水素構造を含む基で保護されたアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位、(b)例えば、ラクトン環を有する繰り返し単位、および(c)(メタ)アクリル酸等から誘導される繰り返し単位を全繰り返し単位の10〜18モル%を含み、かつ酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂を含有する遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物が提供される。
請求項（抜粋）：
(イ)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、ならびに(ロ)(a)下記一般式(pI)〜(pVI)で表される脂環式炭化水素構造を含む基のうちの少なくとも1種の基で保護されたアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位、(b)下記一般式(rI)で表される繰り返し単位、および(c)下記一般式(sI)で表される繰り返し単位を含み、上記(c)の繰り返し単位含有量が樹脂の全繰り返し単位の5〜18モル%であり、かつ酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。【化1】一般式(pI)〜(pVI)中;R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基またはsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表す。R22〜R25は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基または脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。【化2】一般式(rI)中;R5は、水素原子、ハロゲン原子または1〜4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。Xは、2価の連結基を表す。R0 は、COOR0 で表される構成が酸の作用により分解する基となるような基を表す。【化3】一般式(sI)中、R6は、水素原子、ハロゲン原子または1〜4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。
IPC (3件)：
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 504
, H01L 21/027
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 504
, H01L 21/30 502 R
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BF08
, 2H025CB13
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CB43
, 2H025CC04
, 2H025CC20
, 2H025FA17
