特許
J-GLOBAL ID：200903036990495254

マイクロストリップ線路と誘電体導波管との結合構造

発明者：
志野 直行

志野 直行 について

, 
内村 弘志

内村 弘志 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-203402
公開番号（公開出願番号）：特開2005-051331
出願日： 2003年07月29日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：
【課題】従来の多層化技術によって容易に作製可能で、変換損失の低い誘電体導波管とマイクロストリップ線路の結合構造を提供することを目的とするものであり、さらに変換損失の低い結合構造を有するフィルタ基板あるいはアンテナ基板を提供する。【課題】誘電体層を挟み平行に形成された一対の主導体層と、信号伝達方向に遮断波長以下の間隔で導体層間を電気的に接続するように形成された二列のビアホール群とを具備する誘電体導波管6と、マイクロストリップ線路7とを結合するための構造であって、マイクロストリップ線路7の端部から伝送用ビアホール11を誘電体導波管6の主導体層に設けられた開口14を通じて、誘電体導波管6内に延設するとともに、伝送用ビアホール11の他端部に、主導体層に平行な導体パターン12を形成してなることを特徴とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
誘電体層を挟み平行に形成された一対の主導体層と、信号伝達方向に遮断波長以下の間隔で前記導体層間を電気的に接続するように形成された二列のビアホール群とを具備する誘電体導波管と、マイクロストリップ線路とを結合するための構造であって、前記マイクロストリップ線路の端部から伝送用ビアホールを前記誘電体導波管の主導体層に設けられた開口を通じて、前記誘電体導波管内に延設するとともに、該伝送用ビアホールの他端部に、前記主導体層に平行な導体パターンを形成してなることを特徴とする誘電体導波管とマイクロストリップ線路の結合構造。
IPC (1件)：
H01P5/107
FI (1件)：
H01P5/107 B
引用特許：
審査官引用 (9件)
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