半導体集積回路装置の微細ホールの形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-190034
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045633
出願日： 1995年07月26日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【目的】高いアスペクト比の微細ホールを容易に、かつ的確に形成することができる半導体集積回路装置における微細ホールの形成方法を提供する。【構成】下層絶縁膜としてのCVD酸化膜23の上にアモルファスカーボン薄膜24を形成する工程と、このアモルファスカーボン薄膜24上にフォトレジスト薄膜25を形成する工程と、フォトリソのパターニングを行い、前記フォトレジスト薄膜25をマスクに前記アモルファスカーボン薄膜24をエッチングし、そのパターニングされたアモルファスカーボン薄膜24とフォトレジスト薄膜25をマスクとして前記CVD酸化膜23をエッチングしてコンタクトホール29を開口する工程とを施す。

請求項（抜粋）：

(a)下層絶縁膜の上にアモルファスカーボン薄膜を形成する工程と、(b)該アモルファスカーボン薄膜上にフォトレジスト薄膜を形成する工程と、(c)フォトリソのパターニングを行い、前記フォトレジスト薄膜をマスクに前記アモルファスカーボン薄膜をエッチングし、そのパターニングされたアモルファスカーボン薄膜とフォトレジスト薄膜をマスクとして前記下層絶縁膜をエッチングしてホールを開口する工程とを施すことを特徴とする半導体集積回路装置の微細ホールの形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 , H01L 21/3065 , H01L 21/768 , H01L 21/8234 , H01L 27/06

FI (5件)：

H01L 21/28 L , H01L 21/28 U , H01L 21/302 M , H01L 21/90 C , H01L 27/06 102 E

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-296074 出願人：株式会社東芝
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-075948 出願人：富士通株式会社
a-Cによる反射防止
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-048877 出願人：富士通株式会社

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審査官引用 (9件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-296074 出願人：株式会社東芝
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-075948 出願人：富士通株式会社
a-Cによる反射防止
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-048877 出願人：富士通株式会社

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