特許
J-GLOBAL ID：200903037270954118
微細化工程により形成するコンタクトストラクチャ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-126298
公開番号（公開出願番号）：特開2000-346878
出願日： 2000年04月21日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】 高周波帯域、高いピンカウント数、高いコンタクトパフォーマンスそして高い信頼性を達成することできる、コンタクトストラクチャを提供する。【解決手段】 コンタクトストラクチャは、基板表面上にマイクロファブリケーション行程を用いてコンタクタを形成することにより作成され、基板と、その基板上に形成されたコンタクタにより構成される。コンタクタは、水平部とその水平部の一端に垂直に形成された接触部とにより構成され、コンタクタがコンタクトターゲットに対して押されたとき、コンタクタの水平部がコンタクト力を生成する。他の態様において、コンタクトストラクチャはリセス(凹部)を有し、コンタクタが押されたときに、水平部の自由端がリセス内に押し込まれるための空間を確保している。
請求項（抜粋）：
コンタクトターゲットと電気的接続を確立するためのコンタクトストラクチャにおいて、誘電体基板と、その誘電体基板上にマイクロマシンニング(微細機械加工)のプロセスにより形成されたコンタクタであり、そのコンタクタは、水平部とその水平部の一端に垂直に形成された接触部とにより構成され、コンタクタがコンタクトターゲットに対して押されたとき、コンタクタの水平部が接触力を生成するコンタクトストラクチャ。
IPC (3件)：
G01R 1/073
, G01R 31/26
, H01L 21/66
G01R 1/073 F
, G01R 31/26 J
, H01L 21/66 B
