特許
J-GLOBAL ID：200903037354294164
金属酸化物の成膜方法およびその成膜方法により作製される半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-017636
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228506
出願日： 2003年01月27日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：
【課題】最表面エピタキシャル層としてAlXGa1-XAs(X≦0.5)を用いると、その上に低抵抗な金属酸化物膜を形成することが困難であった。【解決手段】酸素を含む雰囲気において450°C以上の温度で金属酸化物を成膜する工程を含む金属酸化物の成膜方法、または、酸素を含む雰囲気において450°C以上の温度で基板または最表面エピタキシャル層を熱処理する工程と、該熱処理工程の後、基板または最表面エピタキシャル層上に金属酸化物を成膜する工程を含む金属酸化物の成膜方法により、GaAs半導体基板またはAlXGa1-XAs(但し、0≦X≦0.5)からなる最表面エピタキシャル層上に金属酸化物を成膜する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
GaAs半導体基板またはAlXGa1-XAs(但し、0≦X≦0.5)からなる最表面エピタキシャル層上に金属酸化物を成膜する方法において、
酸素を含む雰囲気において450°C以上の温度で前記金属酸化物を成膜する工程を含む金属酸化物の成膜方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F041AA24
, 5F041CA36
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA77
, 5F041CA88
