特許
J-GLOBAL ID：200903037443965994

半導体装置及びその製造方法

発明者：
真篠 直寛

真篠 直寛 について

, 
東 光敏

東 光敏 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-180893
公開番号（公開出願番号）：特開2002-373895
出願日： 2001年06月14日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：
【要約】【課題】 電極パッドと半導体基板とを貫く貫通孔を備えた半導体装置において、該貫通孔の側壁における上記電極パッドと半導体基板との絶縁性を十分に確保できる半導体装置を提供すること。【解決手段】 シリコン基板201(半導体基板)と、このシリコン基板201の一方の面201a上に形成された素子形成層202(素子)と、素子形成層202と電気的に接続された電極パッド211と、この電極パッド221とシリコン基板201とを貫くスルーホール212(貫通孔)と、電極パッド211上のSiO2 膜209(絶縁膜)に設けられたビアホール209aと、配線パターン214とを備え、スルーホール212が、シリコン基板201を貫通する部位の径R2よりも電極パッド211を貫通する部位の径R1の方が大きいことを特徴とする半導体装置215による。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の一方の面上に形成された素子と、前記一方の面の上方に形成され、前記素子と電気的に接続された電極パッドと、前記電極パッドと前記半導体基板とを貫く貫通孔と、少なくとも前記半導体基板の他方の面上、前記貫通孔の内壁、及び前記電極パッド上に形成された絶縁膜と、前記電極パッド上の前記絶縁膜に設けられたビアホールと、前記貫通孔と前記ビアホールとを介して前記電極パッドを前記半導体基板の他方の面側に電気的に引き出す配線パターンとを備え、前記貫通孔の径が、前記半導体基板を貫通する部位よりも前記電極パッドを貫通する部位の方が大きいことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/302 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (4件)：
H01L 21/88 J ,  H01L 25/08 Z ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/302 Z
Fターム (38件)：
5F004BB03 ,  5F004DB03 ,  5F004EB01 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH17 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK17 ,  5F033MM05 ,  5F033MM30 ,  5F033NN06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ46 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033TT07 ,  5F033TT08 ,  5F033VV07 ,  5F033XX03 ,  5F033XX31
引用特許：
審査官引用 (6件)
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