特許
J-GLOBAL ID：200903037460240480

パワー半導体モジュール

発明者：
森下 和博

森下 和博 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-000253
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197340
出願日： 2004年01月05日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：
【課題】IGBTチップと前記IGBTチップのコレクタ・エミッタ間に還流ダイオードを備えるパワー半導体モジュールであって、ベース板上のチップ占有面積を削減することによりパワー半導体モジュールを小型化する技術を提供する。【解決手段】IGBTチップ101のコレクタ電極面と、還流ダイオードチップ102のカソード電極面とが対向するように、IGBTチップ101と還流ダイオードチップとを導電性のベース板103に接合する。そして、ベース板103に絶縁体を介してゲート電極端子105を接合する。IGBTチップ101のゲート電極とゲート外部端子をアルミワイヤ110で接続する。そして、エミッタ電極とエミッタ外部端子106を複数のアルミワイヤ111で接続する。さらに、カソード電極とエミッタ外部端子106を複数のアルミワイヤ112で接続する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
パワー半導体素子と、 前記パワー半導体素子の電流入力電極・電流出力電極間に接続されたダイオード素子とを樹脂ケース内に備えるパワー半導体モジュールであって、 前記パワー半導体素子の電流入力電極面と前記ダイオード素子のカソード電極面とが対向するように、前記パワー半導体素子と前記ダイオード素子がそれぞれ表面と裏面に接合された導電性のベース板 を備えることを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (3件)：
H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/78
FI (4件)：
H01L25/04 C ,  H01L29/78 652Q ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 657D
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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