特許
J-GLOBAL ID：200903037705596952
半導体発光素子、半導体発光装置及び半導体発光素子の製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-132007
公開番号（公開出願番号）：特開2005-317676
出願日： 2004年04月27日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：
【課題】 一方の電極側に形成される高反射金属層を用いて光の高反射率を得ると共に、高反射金属層からの原子のマイグレーションも防止し、且つ素子を再現性良く製造する。【解決手段】 活性層を挟んで互いに反対導電型の半導体層が形成され、その一方の半導体層上に、薄膜で接触抵抗の低抵抗化を図るためのオーミック接触層と、透明で導電性を有する透明導電層と、前記活性層で生成された光を反射させる高反射金属層を順次積層させる。透明導電層がバリア層としても機能して且つ光を透過させるため高反射金属層での反射により、高い光取出し効率を得ることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層上に活性層が形成され、該活性層上に前記第1導電型とは反対の第2導電型の半導体層が形成され、前記第2導電型の半導体層上に、薄膜のオーミック接触層と、透明導電層と、前記活性層で生成された光を反射させる高反射金属層を順次積層させてなることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F041AA03
, 5F041AA21
, 5F041CA40
, 5F041CA77
, 5F041CA83
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA98
, 5F041CB15
