半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-314750
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220222
出願日： 1998年11月05日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザ素子単体の状態に比べ、ヒートシンクに融着して半導体レーザ装置に組み立てた状態の方が、動作電流が増大する問題を解決する。【解決手段】 p-AlGaInPクラッド層の少なくともp-GaInP中間層側の格子定数と、p-GaInP中間層の少なくともp-GaAsコンタクト層側の格子定数とのどちらか一方あるいは両方が、n-GaAs基板の格子定数と異なるように形成され、それにより各々に加わる歪の大きさが、組み立てにより各々に加わる歪に対して十分大きく設定してある。各層に設定される歪は、より詳細には圧縮歪、例えば、+0.1〜+0.7%程度の圧縮歪が望ましい。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板上に、少なくとも第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層を含んでなるダブルヘテロ構造を有し、このダブルヘテロ構造上に、少なくとも第2導電型中間層と第2導電型コンタクト層を有する半導体発光素子において、前記第2導電型クラッド層の少なくとも第2導電型中間層側の格子定数と、前記第2導電型中間層の少なくとも第2導電型コンタクト層側の格子定数との、どちらか一方あるいは両方が、前記第1導電型半導体基板の格子定数と異なることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 673 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 673 , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-317385
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-220212 出願人：三洋電機株式会社
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-346603 出願人：富士通株式会社

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