結晶性半導体薄膜とその製造方法、および薄膜トランジスタとその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-277459
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102304
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】絶縁性基板上に結晶配向性の優れたSi結晶薄膜を形成し、このSi結晶薄膜を用いて、移動度等の特性に優れたTFTを形成する。【解決手段】絶縁性基板11上に非晶質半導体薄膜13を製膜する工程と、非晶質半導体薄膜13と同じ材料を主成分としかつ表面に触媒金属を含有する単結晶半導体基板14の表面と非晶質半導体薄膜13とを接触させる工程と、接触させた単結晶半導体基板14と非晶質半導体薄膜13とを非晶質半導体薄膜13の本来の結晶化温度よりも低い温度で熱処理して非晶質半導体薄膜13を結晶化する工程とを具備することを特徴とする結晶性半導体薄膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に非晶質半導体薄膜を製膜する工程と、前記非晶質半導体薄膜と同じ材料を主成分としかつ表面に触媒金属を含有する単結晶半導体基板の前記表面と前記非晶質半導体薄膜とを接触させる工程と、接触させた前記単結晶半導体基板と前記非晶質半導体薄膜とを前記非晶質半導体薄膜の本来の結晶化温度よりも低い温度で熱処理して前記非晶質半導体薄膜を結晶化する工程とを具備することを特徴とする結晶性半導体薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G

Fターム (59件)：

5F052AA02 , 5F052AA18 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052DA02 , 5F052DB01 , 5F052EA02 , 5F052FA06 , 5F052GA02 , 5F052GB04 , 5F052GB08 , 5F052GB09 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110AA08 , 5F110AA28 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD24 , 5F110EE06 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ18 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP23 , 5F110PP29 , 5F110PP31 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110PP36 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-305552 出願人：ソニー株式会社
結晶性半導体薄膜及びその作製方法並びに半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-199657 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-289886 出願人：日本電装株式会社

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