半導体基板の製造方法およびその製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-057727
公開番号（公開出願番号）：特開平7-270818
出願日： 1994年03月28日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】良質の多結晶半導体膜を形成させる。【構成】絶縁性基板1上に非晶質半導体膜を堆積させた基板に対して、部分的に加熱する加熱部6を非晶質シリコン膜領域3の方向に移動させるか又は、この非晶質半導体膜を堆積させた基板を加熱部6に対して移動させて熱処理し、非晶質シリコン膜領域3の多結晶化を行うので、加熱領域2に隣接する、加熱光線7によって多結晶化された半導体部分の結晶粒を種結晶として、加熱領域2の移動方向に結晶粒を均一に成長制御させることが可能となる。

請求項（抜粋）：

絶縁性表面を持つ基板上に、非晶質半導体膜を堆積後、該半導体膜を多結晶化する半導体基板の製造方法において、該非晶質半導体膜を堆積させた基板に対して、部分的に加熱する加熱部を移動させるか又は、該非晶質半導体膜を堆積させた基板を該加熱部に対して移動させて、該非晶質半導体膜の多結晶化を行う半導体基板の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (18件)

薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-232466 出願人：シャープ株式会社
特開平4-139727
特開平4-124813

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