特許
J-GLOBAL ID：200903037793565867
光検出半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
内藤 照雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-061492
公開番号（公開出願番号）：特開2007-189182
出願日： 2006年03月07日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：
【課題】光エネルギーの照射による封止部の変質が受光面への光透過率に影響を及ぼすことがなく、光検出性能を長期に渡って安定維持することが可能な光検出半導体装置の構造とその製造方法を提供する。【解決手段】受光面31aを有する集積回路素子3の表面に、受光面31aを除いて、表面自由エネルギーが低い薄膜10を形成することにより、受光面31aが薄膜10の表面に対して凹となる段差dが形成されるとともに、受光面31aを避けて、表面張力が大きくかつ粘性がある封止用樹脂を塗布することにより、受光面31a上に開口部8を有した封止部9を形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
受光面を有する受光素子を含む集積回路素子と、この集積回路素子を封止する封止部とを備え、前記封止部には前記受光面を露出させる開口部が形成された光検出半導体装置であって、
前記集積回路素子の表面に、表面自由エネルギーが低い薄膜を前記受光面を除いて形成することにより、前記受光面が前記薄膜の表面に対して凹となる段差が形成されるとともに、表面張力が大きくかつ粘性がある封止用樹脂を前記受光面を避けて塗布することにより、前記封止部を形成したことを特徴とする光検出半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F088AB03
, 5F088BA13
, 5F088BB10
, 5F088CB05
, 5F088CB14
, 5F088GA04
, 5F088HA11
, 5F088JA03
, 5F088JA06
, 5F088JA10
, 5F088JA20
, 5F088LA03
出願人引用 (1件)
審査官引用 (11件)
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