特許
J-GLOBAL ID：200903037834672908

中赤外光子検出器

発明者：
平川 一彦

平川 一彦 について

, 
小宮山 進

小宮山 進 について

, 
川口 康

川口 康 について


出願人/特許権者：
独立行政法人 科学技術振興機構

独立行政法人 科学技術振興機構 について


代理人 (2件)： 長谷川 文廣 ,  渡部 章彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-381521
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214383
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：
【課題】エネルギーの小さい中赤外光子の波長領域で、雪崩増倍によらずに単一光子検出が可能な高感度の光検出器を実現することである。【解決手段】本発明の中赤外光子検出器は、サブバンド間遷移により電荷移動が起きるような半導体量子井戸構造の表面に単一電子トランジスタ構造を積層した構成を有し、量子井戸構造に入射された光子により誘起される光励起キャリアの電荷移動を、単一電子トランジスタ構造により高感度に検出できるようにしたものである。垂直入射光に対して感度をもつ従来の半導体プロセスを用いて作製でき、アレー化も容易である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
サブバンド間遷移により電荷移動が起きるような半導体量子井戸構造の表面に単一電子トランジスタ構造を積層して構成されることを特徴とする中赤外波長領域の光子検出器。
IPC (1件)：
H01L31/10
FI (1件)：
H01L31/10 A
Fターム (7件)：
5F049MA13 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049QA10 ,  5F049QA16 ,  5F049QA20 ,  5F049WA01
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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