半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長尾常明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-213947
公開番号（公開出願番号）：特開2009-049198
出願日： 2007年08月20日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：

【課題】炭化珪素基板上にオーミック電極を形成する際に、金属と炭化珪素との合金化熱処理を不要にする。【解決手段】六方晶単結晶の炭化珪素基板11の(0001)面にリン(P)をイオン注入することで、その部分をアモルファス層12にする。次に、熱処理することで、アモルファス層12を立方晶単結晶のn型炭化珪素13に再結晶化させる。次に、そのn型炭化珪素13の上面にニッケル(Ni)を蒸着することで、電極14を形成する。炭化珪素13と電極14との間に形成されるショットキー障壁の高さが低くなり、合金化熱処理を用いることなく、電極14と炭化珪素13との間にオーミックコンタクトが実現される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

六方晶単結晶であって、表面が(0001)面又は(000-1)面の炭化珪素基板と、該炭化珪素基板の表面の一部に前記六方晶単結晶が再結晶して形成されたn型又はp型の立方晶単結晶の炭化珪素領域と、該立方晶単結晶の炭化珪素領域の表面に堆積形成された電極とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (11件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 29/861 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 21/265 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (13件)：

H01L21/20 , H01L29/78 652L , H01L29/78 301B , H01L29/78 652T , H01L29/78 652M , H01L29/91 F , H01L21/28 301B , H01L29/50 J , H01L29/50 M , H01L29/48 P , H01L29/48 D , H01L21/265 Q , H01L29/80 F

Fターム (51件)：

4M104AA03 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB15 , 4M104BB16 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD22 , 4M104DD34 , 4M104DD68 , 4M104FF13 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG12 , 4M104HH08 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GL02 , 5F102GR01 , 5F102GS02 , 5F102GT03 , 5F140AA10 , 5F140AC23 , 5F140BA02 , 5F140BA20 , 5F140BB15 , 5F140BE07 , 5F140BH17 , 5F140BH21 , 5F140BJ05 , 5F140BJ30 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F152AA07 , 5F152BB01 , 5F152BB02 , 5F152CC07 , 5F152CE07 , 5F152CE32 , 5F152CE36 , 5F152CE46 , 5F152EE16 , 5F152FF21

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-263506 出願人：株式会社東芝
ショットキーダイオード及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-217722 出願人：株式会社デンソー
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-275204 出願人：株式会社デンソー

全件表示

前のページに戻る