半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木市郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-038685
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246551
出願日： 2001年02月15日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】異なる耐圧を有する複数の半導体ドライバを同一チップに集積化することにより少ない品種で様々な耐圧に対応できる半導体ドライバを提供する。【解決手段】半導体基板100に形成した埋込絶縁層101と、前記埋込絶縁層101上の半導体基板100上に形成した複数のパワー半導体素子2,3および該パワー半導体素子間を絶縁分離するトレンチ4と、前記パワー半導体素子の制御電極を絶縁して駆動するアイソレータ5からなり、前記トランジスタ2,3はそれぞれ直列接続して使用することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成した埋込絶縁層と、前記埋込絶縁層上の半導体基板上に形成した複数のパワー半導体素子および該パワー半導体素子間を絶縁分離するトレンチと、前記パワー半導体素子の制御電極を絶縁して駆動するアイソレータを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , F02D 41/20 330 , F02P 3/04 301 , H01L 21/76 , H01L 21/762 , H01L 21/8234 , H01L 27/06 , H01L 27/08 331 , H01L 29/786

FI (10件)：

F02D 41/20 330 , F02P 3/04 301 B , H01L 27/08 331 E , H01L 27/04 U , H01L 21/76 L , H01L 21/76 D , H01L 27/04 H , H01L 27/06 102 A , H01L 29/78 613 Z , H01L 29/78 614

Fターム (53件)：

3G019AA05 , 3G019BA01 , 3G019EC08 , 3G019FA01 , 3G019FA13 , 3G301HA01 , 3G301HA06 , 3G301LB01 , 3G301LC10 , 3G301MA18 , 5F032AA06 , 5F032AA09 , 5F032CA14 , 5F032CA15 , 5F032CA17 , 5F032CA24 , 5F032DA71 , 5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AV04 , 5F038AV06 , 5F038BG02 , 5F038BG03 , 5F038BG05 , 5F038BH01 , 5F038BH05 , 5F038BH11 , 5F038BH13 , 5F038BH15 , 5F038DF01 , 5F038DF04 , 5F038DF06 , 5F038DF11 , 5F038EZ06 , 5F038EZ20 , 5F048AA01 , 5F048AA04 , 5F048AA05 , 5F048AA09 , 5F048AB06 , 5F048AC06 , 5F048AC10 , 5F048BA16 , 5F048BG07 , 5F110AA04 , 5F110AA13 , 5F110AA30 , 5F110BB12 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110NN78

引用特許：

審査官引用 (5件)

誘電体分離集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-115418 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-022982 出願人：日産自動車株式会社
インバータ装置の保護方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-018041 出願人：株式会社富士通ゼネラル

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