特許
J-GLOBAL ID:200903038153894470
固体撮像装置
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
古谷 史旺
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-186590
公開番号(公開出願番号):特開2004-031677
出願日: 2002年06月26日
公開日(公表日): 2004年01月29日
要約:
【課題】固体撮像装置の画素領域の汚染除去に効果的なゲッタリング技術を提示する。【解決手段】本発明の固体撮像装置は、入射光に応じて信号電荷を生成する単位画素を複数備えた固体撮像装置であって、単位画素の領域内に、ゲッタリング領域を設けたことを特徴とする。このようなゲッタリング領域は、単位画素と距離的に近いため、固体撮像装置の画素領域に対するゲッタリング能力を顕著に高めることができる。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
入射光に応じて信号電荷を生成する単位画素を複数備えた固体撮像装置であって、
少なくとも一部の前記単位画素の領域内に、ゲッタリング領域を設けた
ことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (14件):
4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118CA03
, 4M118CA32
, 4M118DD04
, 4M118DD09
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118EA20
, 4M118FA26
, 4M118FA42
, 4M118GB03
引用特許:
出願人引用 (10件)
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固体撮像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-110723
出願人:株式会社東芝
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半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-130856
出願人:松下電子工業株式会社
-
固体撮像装置及びその駆動方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-356659
出願人:イノテック株式会社
-
SOI基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-272088
出願人:日本電気株式会社
-
特開平4-101428
-
半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-182927
出願人:株式会社東芝
-
半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-284236
出願人:富士電機株式会社
-
Si半導体素子の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-239260
出願人:ゴールドスターエレグトロンカンパニーリミテッド
-
半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-319256
出願人:日本電気株式会社
-
特開平3-266465
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審査官引用 (3件)
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