特許
J-GLOBAL ID:200903038198604570
基板洗浄装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
吉田 茂明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-255412
公開番号(公開出願番号):特開2002-066475
出願日: 2000年08月25日
公開日(公表日): 2002年03月05日
要約:
【要約】【課題】 基板に付着した有機物を迅速に除去することができる基板洗浄装置を提供する。【解決手段】 処理槽20にはオゾン水供給源26からオゾン水が供給されて貯留され、そのオゾン水中に基板Wが保持されている。チャンバ10にはオゾンガス供給源52からオゾンガスが供給される。そして、オゾンガス供給によってチャンバ10内の気圧を大気圧よりも高くしているため、処理槽20内のオゾン水の気液界面における気圧も大気圧より大きくなり、処理槽20内におけるオゾンガスの発泡を抑制することができる。その結果、処理槽20内のオゾン水のオゾン濃度の低下を防止して、基板Wの表面に付着したレジスト等の有機物の分解速度を速くすることができ、そのような有機物を迅速に除去することができる。
請求項(抜粋):
基板をオゾン水中に浸漬することによって当該基板の表面洗浄処理を行う基板洗浄装置であって、オゾン水を貯留する処理槽と、前記処理槽を収容する密閉チャンバと、前記処理槽中に基板を保持する基板保持手段と、前記処理槽にオゾン水を供給するオゾン水供給手段と、前記密閉チャンバにガスを供給して前記密閉チャンバ内の気圧を大気圧よりも高くするガス供給手段と、を備えることを特徴とする基板洗浄装置。
IPC (5件):
B08B 3/08
, B08B 3/10
, H01L 21/304 642
, H01L 21/304 647
, H01L 21/304 648
FI (5件):
B08B 3/08 Z
, B08B 3/10 Z
, H01L 21/304 642 A
, H01L 21/304 647 Z
, H01L 21/304 648 L
Fターム (13件):
3B201AA03
, 3B201AB08
, 3B201AB42
, 3B201BB04
, 3B201BB82
, 3B201BB93
, 3B201BB96
, 3B201BB98
, 3B201CB12
, 3B201CC01
, 3B201CC11
, 3B201CD11
, 3B201CD22
引用特許:
審査官引用 (10件)
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基板処理方法および基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-002474
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
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基板洗浄装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-211951
出願人:三菱電機株式会社, 大日本スクリーン製造株式会社
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基板表面処理方法および装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-208968
出願人:三菱電機株式会社
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洗浄方法及び洗浄装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-372847
出願人:野村マイクロ・サイエンス株式会社
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洗浄処理方法及びその装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-227363
出願人:東京エレクトロン株式会社
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基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-140086
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
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特開平4-354334
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特開平4-354334
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特開平4-354334
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半導体基板表面からの有機汚染物の除去方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-331555
出願人:アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
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