特許
J-GLOBAL ID：200903038219810787
レジスト用剥離剤組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
細田 芳徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-113427
公開番号（公開出願番号）：特開2004-004775
出願日： 2003年04月17日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：
【課題】アッシングをせずに又は軽くアッシングするだけで、銅等の配線やLow-k膜等の絶縁膜にダメージを与えず、残存する変質レジスト及びエッチング残渣等の、いわゆるポリマーを25°Cという低温でかつ一液で除去できる非フッ化系のレジスト用剥離剤組成物、該剥離剤組成物を用いる半導体基板の製造方法を提供すること。【解決手段】水溶性アミン及び/又はアンモニウム化合物と酸化剤と水を含有してなる非フッ化系のレジスト用剥離剤組成物、該非フッ化系のレジスト用剥離剤組成物を用いて、レジストを剥離する工程を含む半導体基板の製造方法、並びにテトラメチルアンモニウムヒドロキシドと酸化剤と水とを含有してなり、重量比でテトラメチルアンモニウムヒドロキシド/酸化剤が3〜20である非フッ化系のレジスト用剥離剤組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
水溶性アミン及び/又はアンモニウム化合物と酸化剤と水を含有してなる非フッ化系のレジスト用剥離剤組成物。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F7/42
, H01L21/30 572B
2H096AA25
, 2H096HA23
, 2H096LA03
, 5F046MA02
