特許
J-GLOBAL ID:200903038319264356

磁気検出素子及び前記磁気検出素子を用いた薄膜磁気ヘッド

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 野▲崎▼ 照夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-185244
公開番号(公開出願番号):特開2003-008100
出願日: 2001年06月19日
公開日(公表日): 2003年01月10日
要約:
【要約】【課題】 従来のCPP型のデュアルスピンバルブ型薄膜素子では、再生出力の向上と抵抗変化率の向上を共に図ることはできなかった。【解決手段】 フリー磁性層24を磁性層54、56、58と中間層55、57との積層構造にし人工フェリ状態にする。これに前記フリー磁性層24の物理的な膜厚を厚くすると共に、磁気的な膜厚を薄くして合成磁気モーメントを低下させることができるので、バルク散乱効果を有効に発揮させることができ抵抗変化率の向上を図ることができると共に、前記フリー磁性層24の外部磁界に対する磁化変動は良好になり再生出力の向上を図ることが可能になる。
請求項(抜粋):
フリー磁性層の上下に積層された非磁性中間層と、一方の前記非磁性中間層の上および他方の前記非磁性中間層の下に位置する固定磁性層と、一方の前記固定磁性層の上および他方の前記固定磁性層の下に位置して、交換結合磁界によりそれぞれの固定磁性層の磁化方向を一定の方向に固定する反強磁性層とを有する多層膜が設けられ、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流が流れる磁気検出素子において、前記フリー磁性層は、少なくとも2層以上の磁性層と、前記磁性層間に介在する中間層とで構成されていることを特徴とする磁気検出素子。
IPC (4件):
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32
FI (4件):
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  G01R 33/06 R
Fターム (21件):
2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA12 ,  5D034BA18 ,  5D034BB02 ,  5D034BB08 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12
引用特許:
審査官引用 (8件)
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