特許
J-GLOBAL ID：200903038441431522

半導体装置の製造方法

発明者：
林 哲也

林 哲也 について

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星 正勝

星 正勝 について

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下井田 良雄

下井田 良雄 について

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田中 秀明

田中 秀明 について


出願人/特許権者：
日産自動車株式会社

日産自動車株式会社 について


代理人 (2件)： 和泉 良彦 ,  小林 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-281639
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100357
出願日： 2004年09月28日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
【課題】導通時における駆動力を向上させる。【解決手段】所定の開口を有するマスク層を用いて、基板1とドレイン領域2からなる半導体基体の一主面側に所定の溝15を形成する工程と、少なくとも溝15の側壁に接して、該溝15からはみ出すように埋め込み領域11を形成する工程と、半導体基体並びに埋め込み領域11に接するようにヘテロ半導体層30を形成する工程と、ヘテロ半導体層30をパターニングし、ヘテロ半導体領域3を形成する工程とを含む。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
第一導電型の半導体基体と、 前記半導体基体の一主面に接し、該半導体基体とはバンドギャップが異なるヘテロ半導体領域と、 前記ヘテロ半導体領域と前記半導体基体との接合部にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 前記ヘテロ半導体領域と接続されたソース電極と、 前記半導体基体とオーミック接続されたドレイン電極と を有する半導体装置の製造方法において、 所定の開口を有するマスク層を用いて、前記半導体基体の一主面側に所定の溝を形成する第一の工程と、 少なくとも前記溝の側壁に接して、かつ、該溝からはみ出すように埋め込み領域を形成する第二の工程と、 前記半導体基体並びに前記埋め込み領域に接するようにヘテロ半導体層を形成する第三の工程と、 前記ヘテロ半導体層をパターニングし、前記ヘテロ半導体領域を形成する第四の工程と を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336
FI (7件)：
H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 654Z ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 301J ,  H01L29/78 301B
Fターム (44件)：
5F140AA05 ,  5F140AA24 ,  5F140AA30 ,  5F140AC16 ,  5F140AC23 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA04 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA12 ,  5F140BA13 ,  5F140BA16 ,  5F140BB04 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD06 ,  5F140BE03 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF43 ,  5F140BG27 ,  5F140BG31 ,  5F140BG37 ,  5F140BH07 ,  5F140BH27 ,  5F140BH28 ,  5F140BH30 ,  5F140BH41 ,  5F140BH47 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK11 ,  5F140BK12 ,  5F140BK13 ,  5F140BK17 ,  5F140BK20 ,  5F140BK21 ,  5F140CE06 ,  5F140CE07 ,  5F140CE18
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 炭化珪素半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-125412   出願人：日産自動車株式会社
審査官引用 (7件)
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