半導体ウェーハ用研磨ローラおよびこれを用いた半導体ウェーハの研磨方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：安倍逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339897
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156030
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】研磨レートが高められ、同時に研磨時の加工ダメージも低減される半導体ウェーハの研磨ローラおよびこれを用いた半導体ウェーハの研磨方法を提供する。【解決手段】研磨砥粒を含むスラリーを供給しながら研磨ローラ10A,10Bを回転させ、回転中の研磨ローラ10A,10Bと、シリコンウェーハWの表裏面,面取り面とを接触させて研磨する。研磨ローラ10A,10Bは、従来の研磨布に比べ硬度が大きく研磨速度が速い。結果、研磨レートが高まる。しかも、研磨ローラ10A,10Bは合成樹脂製のローラ本体の研磨作用面に粒径1μm以下の研磨砥粒が固定されたローラである。よって微細な研磨砥粒でシリコンウェーハWの面が高精度に研磨され、その時の加工ダメージも抑えられる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの所定の面を研磨する半導体ウェーハ用研磨ローラであって、合成樹脂製のローラ本体の研磨作用面に微細な研磨砥粒が固定された半導体ウェーハ用研磨ローラ。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 621 , B24B 9/00 601 , B24B 37/00 , B24D 3/00 350

FI (5件)：

H01L 21/304 622 F , H01L 21/304 621 E , B24B 9/00 601 H , B24B 37/00 Z , B24D 3/00 350

Fターム (20件)：

3C049AA03 , 3C049AB01 , 3C049AB06 , 3C049AC04 , 3C049CA01 , 3C049CB01 , 3C058AA04 , 3C058AA09 , 3C058AB01 , 3C058AB06 , 3C058AC04 , 3C058CB10 , 3C058DA17 , 3C063AA02 , 3C063AB03 , 3C063BB02 , 3C063BB03 , 3C063BB07 , 3C063BC03 , 3C063EE10

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭63-150162
半導体素子類の研磨方法およびそれに用いる樹脂砥石の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-139454 出願人：日立化成工業株式会社, 株式会社日立製作所
研磨加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-034571 出願人：株式会社日立製作所

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