特許
J-GLOBAL ID：200903038792240570

固体撮像装置

発明者：
小泉 徹

小泉 徹 について

, 
小倉 正徳

小倉 正徳 について

, 
酒井 誠一郎

酒井 誠一郎 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (3件)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-165538
公開番号（公開出願番号）：特開2006-024907
出願日： 2005年06月06日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
要約：
【課題】 PWL(P型のウエル領域)の濃度プロファイルを深くしフォトダイオードでの光電変換の量子効率を向上させるPWL構造を有した場合、暗電流、ブルーミング及び混色などを大幅に抑制する。【解決手段】 入射光を信号電荷に変換する光電変換部と、光電変換部から信号電荷を転送する転送部と、を含む画素の複数を含む固体撮像装置において、光電変換部は、半導体基板の第一導電型のウエル内に形成され、第一の画素の光電変換部と第一の画素に隣接する第二の画素の光電変換部との間に、少なくとも第二導電型の第一の不純物領域が配置されており、第一の不純物領域と光電変換部の間に、ウエル濃度よりも不純物濃度が高い第一導電型の第二の不純物領域が配置され、更に、ウエルと第一の不純物領域の間に、半導体基板の受光面を基準に第二の不純物領域よりも深い位置に配置された、第一導電型の第三の不純物領域を含む。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
入射光を信号電荷に変換する光電変換部と、前記光電変換部から前記信号電荷を転送する転送部と、を含む画素の複数を含む固体撮像装置において、 前記光電変換部は、半導体基板の第一導電型のウエル内に形成され、第一の画素の光電変換部と前記第一の画素に隣接する第二の画素の光電変換部との間に、少なくとも第二導電型の第一の不純物領域が配置されており、 前記第一の不純物領域と前記光電変換部の間に、前記ウエル濃度よりも不純物濃度が高い第一導電型の第二の不純物領域が配置され、更に、前記ウエルと第一の不純物領域の間に、前記半導体基板の受光面を基準に前記第二の不純物領域よりも深い位置に配置された、第一導電型の第三の不純物領域を含むことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (1件)：
H01L 27/146
FI (1件)：
H01L27/14 A
Fターム (11件)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118EA15 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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