特許

J-GLOBAL ID：200903038803895280

触媒支援型化学加工方法

発明者： 久保田 章亀 ,  山内 和人 ,  八木 圭太
出願人/特許権者： 国立大学法人 熊本大学 ,  国立大学法人大阪大学 ,  株式会社荏原製作所
代理人 (2件)： 柳野 隆生 ,  森岡 則夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-110200
公開番号（公開出願番号）：特開2007-283410
出願日： 2006年04月12日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】難加工物、特に近年電子デバイスの材料として重要性が高まっているSiCやGaN等を、加工効率が高く且つ数10μm以上の空間波長領域にわたって精度が高く加工することが可能な新触媒支援型化学加工方法を提案する。【解決手段】酸化剤の溶液中に被加工物を配し,遷移金属からなる触媒を被加工物の被加工面に接触、もしくは極近接させ、触媒表面上で生成した強力な酸化力を持つ活性種と被加工物の表面原子との化学反応で生成した化合物を除去、あるいは溶出させることによって被加工物を加工する。酸化剤がH2O2、触媒がFe、被加工物がSiC又はGaNであり、フェントン反応を利用して加工するのである。【選択図】 図7

請求項（抜粋）：

酸化剤の溶液中に被加工物を配し,遷移金属からなる触媒を被加工物の被加工面に接触、もしくは極近接させ、前記触媒表面上で生成した強力な酸化力を持つ活性種と被加工物の表面原子との化学反応で生成した化合物を除去、あるいは溶出させることによって被加工物を加工することを特徴とする触媒支援型化学加工方法。

IPC (5件)：

B24B 1/00 ,  B01J 21/06 ,  B01J 23/26 ,  B01J 23/72 ,  B01J 23/74

FI (5件)：

B24B1/00 B ,  B01J21/06 M ,  B01J23/26 M ,  B01J23/72 M ,  B01J23/74 M

Fターム (13件)：

3C049AA01 ,  3C049AA09 ,  3C049CA01 ,  4G169AA02 ,  4G169BC31A ,  4G169BC31B ,  4G169BC50A ,  4G169BC50B ,  4G169BC58A ,  4G169BC58B ,  4G169BC65A ,  4G169BC65B ,  4G169CD10

引用特許：

出願人引用 (7件)

• 特公平2-25745号公報
  
• 特公平7-16870号公報
  
• 特公平6-44989号公報
  
• 高速剪断流による加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-347596   出願人：科学技術振興事業団
• 特許第2962583号公報
  
• 特許第3069271号公報
  
• 特許第3734722号公報
  

審査官引用 (3件)

• 化学的機械的研磨処理システム及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-099038   出願人：株式会社東芝
• 光触媒を用いた微細加工方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-138860   出願人：住友重機械工業株式会社
• 有機汚染物質の分解方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-265024   出願人：オルガノ株式会社