特許
J-GLOBAL ID：200903038823459850

マイクロケミカルデバイス及びマイクロケミカルデバイスの製造方法

発明者：
佐伯 博司

佐伯 博司 について

, 
山下 資浩

山下 資浩 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-320226
公開番号（公開出願番号）：特開2006-133003
出願日： 2004年11月04日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：
【課題】マイクロチャネル内の試薬の活性を低下させることなく張り合わせることを可能としたマイクロケミカルデバイスの接合方法を提供する。【解決手段】基材1もしくは基材2のどちらか一方のマイクロチャンネルパターン4内に少なくとも1種類以上の試薬5を担持させてあり、カチオン重合系樹脂を主成分とするエネルギー線遅延硬化型接着剤3を、試薬5を担持していない方の基材のキャピラリー部を除く部分に塗布し、エネルギー線遅延硬化型接着剤3にエネルギー線を照射し、エネルギー線遅延硬化型接着剤3を塗布していない基材1もしくは基材2と、エネルギー線遅延硬化型接着剤3を塗布した基材1もしくは基材2とをエネルギー線遅延硬化型接着剤3の硬化開始時間に対応して重ね合わせて接合し接合後基材1と基材2を加圧して接着層内の気泡を除去する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基材A、基材Bのどちらか一方もしくは両方にマイクロチャネルパターンが形成されており、前記基材Aと前記基材Bを張り合わせることで、前記基材Aと前記基材Bの間にキャピラリー状の空間が形成されるマイクロケミカルデバイスの製造方法であって、 前記基材A、前記基材Bのどちらか一方にカチオン重合系樹脂を主成分とするエネルギー線遅延硬化型接着剤を前記キャピラリー部を除く部分に塗布し、前記エネルギー線遅延硬化型接着剤にエネルギー線を照射する第1工程と、 前記エネルギー線遅延硬化型接着剤を塗布していない前記基材Aもしくは前記基材Bと、前記エネルギー線遅延硬化型接着剤を塗布した前記基材Aもしくは前記基材Bとを前記エネルギー線遅延硬化型接着剤の硬化開始時間に対応して重ね合わせて接合する第2工程と、接合後前記基材Aと前記基材Bを加圧して前記接着層内の気泡を除去する第3工程と、 を有することを特徴とするマイクロケミカルデバイスの製造方法。
IPC (2件)：
G01N 35/08 ,  G01N 37/00
FI (2件)：
G01N35/08 A ,  G01N37/00 101
Fターム (8件)：
2G058DA01 ,  2G058DA07 ,  2G058DA09 ,  2G058EA14 ,  2G058EB11 ,  2G058EB19 ,  2G058GA06 ,  2G058HA00
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (10件)
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