特許
J-GLOBAL ID：200903038884669408

III族窒化物半導体およびその製造方法

発明者：
樹神 雅人

樹神 雅人 について

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林 栄子

林 栄子 について

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杉本 雅裕

杉本 雅裕 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について

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トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-289055
公開番号（公開出願番号）：特開2008-108843
出願日： 2006年10月24日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：
【課題】結晶欠陥の少ないIII 族窒化物半導体の製造方法【解決手段】C面を主面とするサファイア基板1上にGaN層2をエピタキシャル成長させる(図1a)。次に、温度85°C、濃度25%のTMAH水溶液により1時間ウェットエッチングを行い、エッチピット4を形成させる(図1b)。次に、GaN層2上にGaN層5をELO法により成長させる(図1c)。このようにして形成されたGaN層5は、GaN層2よりもスクリュー転位密度が低い。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III 族窒化物半導体からなる第1層の上面をTMAH水溶液によりウェットエッチングしてエッチピットを形成する工程と、 前記第1層の上面にIII 族窒化物半導体からなる第2層を、前記エッチピットの上部を覆うように形成する工程と、 を有することを特徴とするIII 族窒化物半導体の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L21/306 B ,  H01L21/205
Fターム (15件)：
5F043AA16 ,  5F043BB06 ,  5F043DD07 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045CB02 ,  5F045DA67 ,  5F045HA04 ,  5F045HA14
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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