研磨方法及びスラリー

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-344185
公開番号（公開出願番号）：特開2000-167764
出願日： 1998年12月03日
公開日（公表日）： 2000年06月20日
要約：

【要約】【課題】 Ru又はRu化合物をCMP法によって研磨する場合に、研磨レートを大きくし、しかも下地に対する研磨レートの選択比を大きくする。【解決手段】 Ru又はRu化合物15を硝酸二アンモニウムセリウムを添加したスラリーを用いて研磨する。Ru化合物としては例えばSrRuO3 をあげることができる。スラリーには研磨粒子が含まれていなくてもよい。

請求項（抜粋）：

Ru又はRu化合物を硝酸二アンモニウムセリウムを添加したスラリーを用いて研磨することを特徴とする研磨方法。

IPC (3件)：

B24B 37/00 , C09K 3/14 550 , H01L 21/304 622

FI (3件)：

B24B 37/00 H , C09K 3/14 550 C , H01L 21/304 622 C

Fターム (5件)：

3C058AA07 , 3C058CA04 , 3C058CB03 , 3C058DA02 , 3C058DA12

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-037421 出願人：株式会社東芝
半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-166091 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-156511

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