ゲートトレンチで相互接続されたパワー半導体デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：竹沢荘一 , 中馬典嗣 , 森浩之
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-527120
公開番号（公開出願番号）：特表2009-505433
出願日： 2006年08月16日
公開日（公表日）： 2009年02月05日
要約：

【課題】ゲート絶縁破壊を低減または排除する連続ゲートトレンチを備えた、パワー半導体デバイスを提供する。【解決手段】周囲トレンチにより、各ゲートトレンチが電気接続され、重なり合い、相互連続されたゲートトレンチを備えている。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

第1導電型のドリフト領域と、このドリフト領域上の第2導電型のベース領域と、このベース領域を通って、前記ドリフト領域まで延びる複数の第1ゲートトレンチと、この複数の第1ゲートトレンチ周辺に配置され、重なっている第1周囲トレンチと、前記ベース領域に隣接する各前記第1ゲートトレンチ内に形成されたゲート絶縁層と、各前記第1ゲートトレンチ内にあるゲート電極とを備えるパワー半導体デバイス。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 29/06

FI (4件)：

H01L29/78 652K , H01L29/78 653A , H01L29/78 652P , H01L29/78 652S

引用特許：

審査官引用 (5件)

パワーMOS素子及びMOS素子の製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-594163 出願人：フラウンホーファー-ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デル・アンゲヴァンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-017969 出願人：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-384811 出願人：富士電機株式会社

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