特許

J-GLOBAL ID：200903039128800807

N極窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウムエンハンスメントモード電界効果トランジスタ

発明者： ラジャン, シッドハース ,  スー, チャン スー ,  シュペック, ジェームス エス. ,  ミシュラ, ウメシュ ケー.
出願人/特許権者： ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-531424
公開番号（公開出願番号）：特表2009-509343
出願日： 2006年09月18日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：

高電子移動度トランジスタ(HEMT)などの新規のエンハンスメントモード電界効果トランジスタ(FET)は、N極表面を有し、分極界を使用してN極方向におけるゲート下の電子群を減少させ、向上した分散抑制および低ゲート漏れを有する。本発明は、N極表面を有する窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)層および窒化ガリウム(GaN)層から構成されるエンハンスメントモード高電子移動度トランジスタ(HEMT)デバイスを提供し、該デバイスは、GaN(2)層上に成長するAlGaN(2)層上に成長する、GaN(1)層上に成長するAlGaN(1)層を備えるデバイスのためのゲート下のエピ層構造を備え、該ゲート下の該AlGaN(1)層は、該AlGaN(1)層内の分極界が、ゼロゲートバイアス下で該AlGaN(2)層とGaN(1)層との間の界面において電子ガスを激減させるために十分な厚さに成長する。

請求項（抜粋）：

N極表面を有する窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)層および窒化ガリウム(GaN)層から構成されるエンハンスメントモード高電子移動度トランジスタ(HEMT)デバイスであって、該デバイスは、 (a)GaN(2)層上に成長するAlGaN(2)層上に成長する、GaN(1)層上に成長するAlGaN(1)層を備えるデバイスのためのゲート下のエピ層構造 を備え、 (b)該ゲート下の該AlGaN(1)層は、該AlGaN(1)層内の分極界が、ゼロゲートバイアス下で該AlGaN(2)層とGaN(1)層との間の界面において電子ガスを激減させるために十分な厚さに成長する、デバイス。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (15件)：

5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD05 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GQ02 ,  5F102GR04 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法、その半導体装置製造用基板及びその製造方法並びにその半導体成長用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-082308   出願人：ユーディナデバイス株式会社
• 半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-094755   出願人：ソニー株式会社
• 高移動度トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-057069   出願人：古河電気工業株式会社
• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-082778   出願人：シャープ株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Two-dimensional electron gases in Ga-face and N-face AlGaN/GaN heterostructures grown by plasma-indu