特許
J-GLOBAL ID：200903039178937064

固体撮像装置

発明者：
井上 俊輔

井上 俊輔 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 山下 穣平 ,  志村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-042939
公開番号（公開出願番号）：特開2005-236013
出願日： 2004年02月19日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】暗時のシェーディングが無く、ダイナミックレンジ、S/Nを高くすることができる固体撮像装置を提供する。【解決手段】505はフォトダイオードのN型カソード、506はフォトダイオードを埋め込み構造とするための表面P型領域、508aはフローティングディフュージョンを形成し転送MOSトランジスタのドレイン領域ともなっているN型高濃度領域である。508bはN型高濃度領域と直接コンタクトをとっているポリシリコン引き出し電極である。表面から入射した光はメタル第3層525の無い開口部を通して、フォトダイオードに入る。入射光のうち、転送MOSトランジスタのゲート電極504上面で反射した光は、ポリシリコン直上の第一層メタル521で反射されるので、フローティングディフュージョン部に入射する前に複数回の反射を繰り返すので、充分に減衰し、偽信号はきわめて小さくなる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
光電変換部と信号増幅部を有する複数の画素をアレイ状に配置し、該画素毎あるいは複数の画素毎に配置されたフローティングディフュージョンが該信号増幅部の入力となる固体撮像装置において、 該フローティングディフュージョンから該増幅部の入力までの接続は、該フローティングディフュージョンとポリシリコンの直接コンタクトを用いて行うことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
H01L27/146 ,  H04N5/335
FI (3件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 U
Fターム (20件)：
4M118AA02 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118DD04 ,  4M118DD10 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA33 ,  4M118GB11 ,  4M118GB17 ,  5C024CX11 ,  5C024CX35 ,  5C024CX43 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GY35
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (9件)
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