特許
J-GLOBAL ID：200903034502216195

窒化物半導体素子及びその製造方法

発明者：
簗嶋 克典

簗嶋 克典 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-109937
公開番号（公開出願番号）：特開2003-303995
出願日： 2002年04月12日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：
【要約】【課題】 高Al組成窒化物半導体層を備えた窒化物半導体素子、更に言えば5原子%以上の高Al組成窒化物半導体層を備え、紫外領域の波長の光を発光できる窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 本紫外線発光ダイオード10は、AlN積層サファイア基板12上に、膜厚1μmのSiドープトn-Al0.25GaN層14、膜厚50nmのSiドープトn-AlGaInN活性層16、膜厚3nmのAl0.25GaN層/膜厚3nmのMgドープトp-GaN層からなる5周期超格子層18、及び膜厚0.1μmのMgドープトp-GaN層20の積層構造を備えている。AlN積層サファイア基板12は、サファイア基板12aのC面上に直接又は低温成長バッファ層(図示せず)を介して膜厚1μmのAlN層12bが積層されている。
請求項（抜粋）：
単結晶AlN基板、又は単結晶AlN層を基板主面に積層したAlN積層サファイア基板上に高Al組成窒化物半導体層を有する積層構造を備えていることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610
FI (3件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610
Fターム (31件)：
5F041AA40 ,  5F041CA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA34 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD14 ,  5F045BB13 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F073AA55 ,  5F073AA77 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB14 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (8件)
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