特許
J-GLOBAL ID：200903039312503394

半導体装置

発明者：
天野 伸治

天野 伸治 について

, 
戸倉 規仁

戸倉 規仁 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-070102
公開番号（公開出願番号）：特開2008-235405
出願日： 2007年03月19日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：
【課題】FWDを内蔵したIGBTとして構成される半導体装置において、熱的破壊がもっとも起きやすい場所の温度を検出する。【解決手段】N型層22の一面側にIGBT素子が形成されたIGBT領域20、FWD素子が形成されたFWD領域30が設けられたものにおいて、IGBT領域20とFWD領域30との境界部50を少なくとも含むようにN型層22の表面に層間絶縁膜40を介して感温素子10を設ける。これにより、FWD素子の動作時とIGBT素子の動作時とを1つの感温素子10で検出する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板(22)にFWD素子を内蔵したIGBT素子が形成され、前記IGBT素子、前記FWD素子が作動することにより発生する熱の温度に応じた電圧を出力する感温素子(10)が前記半導体基板上に設けられたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/04 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739
FI (3件)：
H01L29/78 657D ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655A
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (11件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM