特許

J-GLOBAL ID：200903039593909688

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 佐沢 洋幸 ,  西川 直宏 ,  栗田 靖之 ,  秦 雅彦
出願人/特許権者： 住友化学株式会社
代理人 (1件)： 林 茂則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-072584
公開番号（公開出願番号）：特開2009-231396
出願日： 2008年03月19日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：

【課題】GaN系電界効果トランジスタをノーマリオフで動作させつつ、チャネルの電流密度を増加する。【解決手段】窒素を含む3-5族化合物半導体のチャネル層と、前記チャネル層に電子を供給する電子供給層と、前記電子供給層の前記チャネル層に対向する面の反対面に形成された、窒素を含む3-5族化合物の真性またはn形の半導体層と、前記半導体層と接して形成された、または、前記半導体層との間に中間層を介して形成された制御電極と、を備えた半導体装置を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒素を含む3-5族化合物半導体のチャネル層と、 前記チャネル層に電子を供給する電子供給層と、 前記電子供給層の前記チャネル層に対向する面の反対面に形成された、窒素を含む3-5族化合物の真性またはn形の半導体層と、 前記半導体層と接して形成された、または、前記半導体層との間に中間層を介して形成された制御電極と、 を備えた半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/423

FI (2件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/58 Z

Fターム (44件)：

4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104DD68 ,  4M104EE02 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF31 ,  4M104GG11 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GL09 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR07 ,  5F102GR08 ,  5F102GR09 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC02 ,  5F102HC10 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-298241   出願人：国立大学法人名古屋大学
• 窒化物系半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-252657   出願人：株式会社東芝
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-348790   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-373612   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-196749   出願人：日本電気株式会社