特許
J-GLOBAL ID:200903039769587992

電極配設基体及びその電極接合方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 渡邉 勇 ,  堀田 信太郎 ,  小杉 良二 ,  森 友宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-292868
公開番号(公開出願番号):特開2004-128357
出願日: 2002年10月04日
公開日(公表日): 2004年04月22日
要約:
【課題】例えば半導体装置の実装技術における、更なる高集積・高密度化の要請に応えることができ、しかもPbを含まない接合材料を用いて、例えば、ステップ接合の第1ステップの接合等を行えるようにする。【解決手段】多数の電極を有する基体42であって、平均直径が100nm程度以下の金属核の周囲を有機物で結合・被覆することによって生成した複合型金属ナノ粒子を主材とする接合材料40によって、基体42の電極を他の基体46に設けた電極44に接合するようにした。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
多数の電極を有する基体であって、平均直径が100nm程度以下の金属核の周囲を有機物で結合・被覆することによって生成した複合型金属ナノ粒子を主材とする接合材料によって、前記基体の電極を他の基体に設けた電極に接合するようにしたことを特徴とする電極配設基体。
IPC (1件):
H01L21/60
FI (1件):
H01L21/60 311Q
Fターム (2件):
5F044LL01 ,  5F044LL04
引用特許:
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る