特許
J-GLOBAL ID：200903039805783566

磁気メモリ装置及びその製造方法

発明者：
梅原 慎二郎

梅原 慎二郎 について

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▲芦▼田 裕

▲芦▼田 裕 について

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落合 隆夫

落合 隆夫 について

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佐藤 雅重

佐藤 雅重 について

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小林 和雄

小林 和雄 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-093404
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273493
出願日： 2006年03月30日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：
【課題】スピン注入磁化反転機構を用いた磁気抵抗効果素子を有する磁気メモリ装置に関し、磁気抵抗効果素子の近傍に設けられた配線からの漏洩磁界による誤動作を防止しうる磁気メモリ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】磁気シールド膜48と、磁気シールド膜48上に形成され、磁性層52と、非磁性層54と、磁性層56とを有し、スピンの注入により磁性層52又は磁性層56を磁化反転する磁気抵抗効果素子62と、磁気抵抗効果素子62の側壁部分に形成された第2の磁気シールド膜68とを有する。これにより、磁気抵抗効果素子62の近傍に設けられた配線からの漏洩磁界が磁気抵抗効果素子62に達するのを効果的に防止することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1の磁気シールド膜と、 前記第1の磁気シールド膜上に形成され、第1の磁性層と、前記第1の磁性層上に形成された非磁性層と、前記非磁性層上に形成された第2の磁性層とを有し、スピンの注入により前記第1の磁性層又は前記第2の磁性層を磁化反転する磁気抵抗効果素子と、 前記磁気抵抗効果素子の側壁部分に形成された第2の磁気シールド膜と を有することを特徴とする磁気メモリ装置。
IPC (4件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12
FI (3件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12
Fターム (47件)：
4M119AA07 ,  4M119AA10 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD46 ,  4M119DD48 ,  4M119FF04 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  4M119FF19 ,  4M119JJ16 ,  4M119KK18 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB04 ,  5F092BB09 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC01 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092CA08 ,  5F092CA20 ,  5F092FA09
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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