特許
J-GLOBAL ID:200903061518835275
磁気抵抗効果素子および磁気メモリデバイス
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
酒井 伸司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-069194
公開番号(公開出願番号):特開2004-281599
出願日: 2003年03月14日
公開日(公表日): 2004年10月07日
要約:
【課題】感磁層内に効率よく磁界を発生させて書込効率を向上させ得る磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】ビット線5および書込ワード線6の交差部分にビット線5および書込ワード線6に挟まれるようにして配設されると共に、ビット線5および書込ワード線6の周囲に発生する各磁界の合成磁界によって磁化方向が変化する感磁層23を含み、かつ積層面に対して垂直な方向に電流が流れるように構成されたTMR素子20と、交差部分におけるビット線5および書込ワード線6の双方を個別に被覆することによってビット線5に対する環状磁性層RM1および書込ワード線6に対する環状磁性層RM2をそれぞれ形成する磁性体2とを備え、感磁層23は、磁性体2におけるビット線5および書込ワード線6によって挟まれた各環状磁性層RM1,RM2の磁性体部2aを含んで構成されている。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
第1の書込線および第2の書込線の交差部分に当該第1の書込線および第2の書込線に挟まれるようにして配設されると共に、当該第1の書込線および第2の書込線の周囲に発生する各磁界の合成磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含み、かつ積層面に対して垂直な方向に電流が流れるように構成された積層体と、
前記交差部分における前記第1の書込線および前記第2の書込線の双方を個別に被覆することによって当該第1の書込線に対する環状磁性層および前記第2の書込線に対する環状磁性層をそれぞれ形成する磁性体とを備え、
前記感磁層は、前記磁性体における前記第1の書込線および前記第2の書込線によって挟まれた前記各環状磁性層の共有部位を含んで構成されている磁気抵抗効果素子。
IPC (3件):
H01L27/105
, G11C11/15
, H01L43/08
FI (4件):
H01L27/10 447
, G11C11/15 110
, G11C11/15 120
, H01L43/08 Z
Fターム (9件):
5F083FZ10
, 5F083GA30
, 5F083LA01
, 5F083LA03
, 5F083LA04
, 5F083LA05
, 5F083LA06
, 5F083LA07
, 5F083LA27
引用特許:
審査官引用 (7件)
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磁気記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-157484
出願人:株式会社東芝
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メモリセル装置及び該メモリセル装置の製造方法
公報種別:公表公報
出願番号:特願2000-565541
出願人:インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
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磁気メモリ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-036449
出願人:ソニー株式会社
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