特許
J-GLOBAL ID：200903010446411749
環状体の製造方法および磁気記憶装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-048614
公開番号（公開出願番号）：特開2004-259913
出願日： 2003年02月26日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：
【課題】磁性膜を含む多層膜からなるもので、実用上必要とされる数nmオーダーの厚みの環状体を精度良く形成することで、磁気記憶装置の記憶セルへの適用を可能にする。【解決手段】基板11上に環状体15の芯となる柱状のコラム12を形成する工程と、基板11上およびコラム12上に環状体15を形成するための環状体形成膜13を基板11上形成される環状体形成膜13とコラム12上に形成される環状体形成膜13とが分離するように堆積形成する工程と、環状体形成膜13を被覆するマスク膜14を形成する工程と、マスク膜14および環状体形成膜13を異方性加工(異方性ドライエッチング)して、コラム12側壁に残存させることにより、マスク膜14を載せた環状体形成膜13からなる環状体15を形成する工程とを備えている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に環状体の芯となる柱状のコラムを形成する工程と、
前記基板上および前記コラム上に前記環状体を形成するための環状体形成膜を前記基板上形成される環状体形成膜と前記コラム上に形成される環状体形成膜とが分離するように堆積形成する工程と、
前記環状体形成膜を被覆するマスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜および前記環状体形成膜を異方性加工して、前記コラム側壁に残存させることにより、前記マスク膜を載せた前記環状体形成膜からなる環状体を形成する工程と
を備えたことを特徴とする環状体の製造方法。
IPC (4件)：
H01L27/105
, G11C11/15
, H01L43/08
, H01L43/12
H01L27/10 447
, G11C11/15 110
, H01L43/08 P
, H01L43/08 Z
, H01L43/12
5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083GA27
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083PR01
, 5F083PR03
, 5F083PR04
, 5F083PR21
, 5F083PR22
, 5F083PR40
