特許
J-GLOBAL ID：200903039925780986

含フッ素化合物、含フッ素高分子化合物、ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者：
磯野 芳美

磯野 芳美 について

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ジョドリ・ジョナサン・ジョアキム

ジョドリ・ジョナサン・ジョアキム について

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成塚 智

成塚 智 について


出願人/特許権者：
セントラル硝子株式会社

セントラル硝子株式会社 について


代理人 (1件)： 花田 吉秋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-153096
公開番号（公開出願番号）：特開2009-019199
出願日： 2008年06月11日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：
【課題】本発明は、300nm以下の波長の高エネルギー線又は電子線を用いてパターンを形成する際に使用する、露光に対し透明性を損なわずかつ矩形性に優れるパターンを形成できるレジスト組成物を提供し、併せて、その構造を含フッ素高分子化合物に導入するために有用な含フッ素化合物を提供する。【解決手段】下記一般式(2)で表される繰り返し単位を含む重量平均分子量1,000〜1,000,000の含フッ素高分子化合物および、それを用いたレジスト組成物。(式中、R2は酸不安定性保護基、R3はフッ素原子または含フッ素アルキル基、Wは二価の連結基を表す。R4、R5およびR6は、相互に独立に、水素原子、フッ素原子もしくは一価の有機基であり、または相互に組み合わされて環を形成してもよい。)【選択図】なし
請求項（抜粋）：
一般式(1)で表される含フッ素化合物。
IPC (5件)：
C08F 20/22 ,  C08F 16/24 ,  C08F 32/08 ,  C07C 69/72 ,  G03F 7/039
FI (5件)：
C08F20/22 ,  C08F16/24 ,  C08F32/08 ,  C07C69/72 ,  G03F7/039 601
Fターム (32件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4H006AA01 ,  4H006AB46 ,  4H006AB76 ,  4J100AE09Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL26P ,  4J100AR11R ,  4J100BA02P ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA15R ,  4J100BA16P ,  4J100BB07P ,  4J100BB07Q ,  4J100BB07R ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (5件)
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